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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容的原理及指標(biāo)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的原理及指標(biāo)

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3加工中的難點及改進(jìn)措施因為小尺寸芯片電容尺寸偏小， 對線條精度和基板厚度一致性的要求更高， 所以相較于常規(guī)尺寸的芯片電容加工， 小尺寸芯片電容加工難度大。 同時由于外形較小， 劃切控制難度增加。因此， 針對小尺寸電容加工過程進(jìn)行研究， 并在研究的基礎(chǔ)上改進(jìn)了部分關(guān)鍵工藝。

線，設(shè)置在各條信號線與各條第二信號線的相交處的電容形成的電容矩陣，電容矩陣中包括至少兩種電容； 芯片測試方法包括，矩陣電容板的電容矩陣中設(shè)置至少兩種容值的電容，從而能夠模擬正常狀態(tài)(即未觸摸狀態(tài)) 和觸摸狀態(tài)的功能，并且能夠基于矩陣電容板的該功能實現(xiàn)對芯片的不同性能狀況的測試。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電  100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

型號：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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