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射頻易商城_開(kāi)關(guān)芯片_微波開(kāi)關(guān)芯片的研究和設(shè)計(jì)③

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微波開(kāi)關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)

1.3 微波開(kāi)關(guān)

微波開(kāi)關(guān)從結(jié)構(gòu)上可以分為雙端口開(kāi)關(guān)和三端口開(kāi)關(guān)，三端口開(kāi)關(guān)可以由雙端口開(kāi)關(guān)組合而成，雙端口開(kāi)關(guān)主要指單刀單擲開(kāi)關(guān)（SPST），如圖 1-1（a）所示，三端口開(kāi)關(guān)主要指單刀雙擲開(kāi)關(guān)（SPDT），如圖 1-1（b）所示，對(duì)于單刀多擲開(kāi)關(guān)（SPMT， M>2），其本質(zhì)上也屬于三端口開(kāi)關(guān)，因?yàn)樗鼈冊(cè)谌魏我环N工作模式下，等效電路的端口都可以歸結(jié)為發(fā)射端口、接收端口和隔離端口。開(kāi)關(guān)自發(fā)射端口發(fā)射信號(hào)，在接收端口接收信號(hào)，隔離端口不希望接收到任何信號(hào)，通過(guò)切換工作模式，其端口定義發(fā)生改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)的變化。雙端口
開(kāi)關(guān)的接收端口和隔離端口相重合，當(dāng)重合的端口依開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)而定義為接收端口時(shí)，發(fā)射端口到隔離端口支路自動(dòng)開(kāi)路，不用考慮這個(gè)支路上的信號(hào)損耗和泄露。因此雙端口開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)相較于三端口開(kāi)關(guān)要簡(jiǎn)單得多，而且也基于這個(gè)原因，雖然任意的三端口開(kāi)關(guān)都可以拆解為兩個(gè)雙端口開(kāi)關(guān)，但并不是所有的雙端口開(kāi)關(guān)都可以組合成三端口開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)電路特性的好或壞主要可以從插入損耗、隔離度和功率處理能力等方面衡量。

1.4 硅基金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是一種廣泛用于集成電路設(shè)計(jì)與制造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 MOSFET 在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬（多晶硅） -氧化層-半導(dǎo)體襯底的電容為核心，通過(guò)改變這個(gè)電容的電壓控制反型層的寬度，從而控制流過(guò)溝道的電流大小。 MOSFET 工藝越先進(jìn)，意味著其溝道長(zhǎng)度越小，溝道電阻越小，同時(shí)也意味著柵極、源極和漏級(jí)面積減少，從而可以降低等效的柵極電容和寄生電容。另外，更小的柵長(zhǎng)也使 MOSFET 的單位電流增益截止頻率（f t ）更高，從而所允許的工作頻率也更高。但是，柵長(zhǎng)越小的 MOSFET 柵氧化層會(huì)越薄，從而柵極
擊穿電壓會(huì)減小。而且，短溝道效應(yīng)會(huì)更加嚴(yán)重，這進(jìn)一步惡化 MOSFET 的穩(wěn)定性和可靠性。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電0.1 to 40GHz, LXA4882 SP8T開(kāi)關(guān),射頻開(kāi)關(guān)

頻率 : 0.1 – 40 GHz
損耗: 1.5 dB
隔離度 : 40 dBm
控制電壓 : 控制電壓：±5 V

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電DC to 18GHz, LXA4105 SPST開(kāi)關(guān),射頻開(kāi)關(guān)

頻率 : DC – 18 GHz
損耗: 1.2 dB
隔離度 : 60 dBm
控制電壓 : 控制電壓：0/-5 V

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