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導讀：很多朋友不知道高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標

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高電容密度硅基MIS芯片電容②

對 于襯底 采 用 高 摻 雜 的 11 型 低 阻 硅 片 的 M IS電 容器 ，其 電容公 式可 以表 達 為 ：c、一學式 中 e。 是 真 空介 電常 數(shù) 是 介 質(zhì) 層 材料 的介 電常數(shù) ，S 是 電極 面 積 ，d 是 介 質(zhì) 層 厚 度 。 可 以看 出 。 通過增 大 電極 面積或 者 降低 介質(zhì)層 厚 度都 可 以達到 增大 電容 的 目的 ，但 介 質(zhì) 層厚 度 減 小 的 同時 將 會 導 致耐壓 的 降低 。設計 的 3D 結(jié) 構(gòu) 的硅基 M IS 芯 片 電容結(jié) 構(gòu) 如 圖1 所 示 。通 過 在 低 阻 硅襯 底 上 進 行 深 孔 刻 蝕 擴 大 了有效 電極 面積 ，從 而達 到 提 升 電 容 密 度 的 目 的 。 深孔 內(nèi) 介 質(zhì)層 采 用 ()N () 型 ( S i() ／s i N ／s io  結(jié) 構(gòu) )的復合 介 質(zhì) 膜 ，該 種 ()N 【) 復 合介 質(zhì) 膜 已被 廣 泛 證實具 有 相對 高的 介 電 常數(shù) 、高 擊 穿 電場 和 低 漏 電流等優(yōu) 點 ，在存儲 器 方 面已被 大量 應用  ] ，可 以有 效 提升 3D 芯 片 電容 的電 容值 和 耐壓 特 性 。 孑L內(nèi) 填 充 層采用 的 是摻 雜多 晶 硅 ，一 方 面 可 以作 為 導 電層 與 孑L內(nèi)介 質(zhì) 充分接 觸 ，另 一 方面 可 以填平 深孔 ，有 助 于后續(xù) 電極 的淀 積 。 最 后 采用 多 層 金屬 結(jié)構(gòu) 作 為 芯 片 電容 的 上 下接觸 電極 。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 680pF, ≥1G@50V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號：C11-25-50V-681
容值/容差：680pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 68pF, ≥100G@100V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號：C11-25-100V-680
容值/容差：68pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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