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導(dǎo)讀：很多朋友不知道高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標(biāo)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標(biāo)

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高電容密度硅基MIS芯片電容③

電容 器 的性 能 很 大 程 度 _j 取 決 于 介 質(zhì) 層 的 質(zhì)量 ，尤其 對(duì) 于 3D-M IS 電容 來(lái)說(shuō) ，刻 蝕 后孔 的 深 寬 比很 高 ，孔 內(nèi) 介 質(zhì) 均 勻 淀 積 的 難 度 很 大 。實(shí) 驗(yàn) 采 用0 N () 復(fù) 合 介 質(zhì)層 ，第 一 層 s i()  采 用 熱 氧生 長(zhǎng)．第二層 Si。 N 與第 三 層 Si( )! 均 采 用 低 壓 化 學(xué) 氣 相 沉積( L ow  p ress ure ch em ic al  vapo r depo sitio n ，

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專(zhuān)級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專(zhuān)級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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