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高電容密度硅基MIS芯片電容④

在 室溫 下對 電容 器進 行  、，測 試 ，如 圖 6 所 示 。電容器 在擊 穿前 其 漏 電 流 曲 線 相 當 平 滑 ，漏 電流 小于 5 nA 。 電 容器 約 在 70 V 時達 到 擊 穿 ，漏 電流 快速 上升 ，顯示 了 良好 的 擊穿特性 ，從 側 面也 印證 了 電容介質 層 良好 的耐壓 特性 。分 別選 取 了 l O只 芯 片 尺 寸 和介 質 層 結 構 均 相 同 的3I)_M IS 電容與 平 面 M IS 電容 進行 室溫 下 電容 值 的測 試 ，結果 見 圖 7 。 平 面結 構 的 M IS 電容 的 電 容值約 為 20 pF ，而 3D 結 構 的 M IS 電 容 由 于 深 孔 結 構極 大地 提 升 了 有效 電極 面積 ，在 耐壓 7O V 下 其 電容值 達到 了 l 000 pF ．電 容 密 度 高 達 20 nF ／mm。 ，是平 面結 構 M IS 電容 的 5O倍 。圖 7  3D-M IS 電 容 與平 面 M IS 電容 的 電 容值 對 比 曲 線對 3D—M IS 電容 和 常 見 的 X 7R 陶 瓷 電 容進 行了 溫度 系數 的測 試 ，結 果 如 圖 8 所 示 。 X 7R 陶瓷 電容在 125℃ 下 其 電 容 變 化 率 約 為 14 9／6，而 3D—M IS電容在 一55～ 15O~C 范 圍 內 電容 變化 率 不 超 過 1％ ，體 現 了 良好 的溫度 穩定 性 。與 國 外 IP DIA 公 司 的 W BS C 電容性 能 對 比結果 如表 1 所示 。 在 電容密 度 和溫度 系 數均保 持 一致的情 況 下 ，擊 穿 電 壓相 比 W BSC 電 容 提 升 了 20 V 。

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絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
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