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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究

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高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑦

2. 3. 1　 切割刀具對(duì)崩邊和背金卷邊的影響

有關(guān)研究指出, 砂輪刀具金剛砂顆粒的大小直接影響切削品質(zhì)。 金剛砂顆粒較大的刀具在劃切時(shí)每次帶走的切削粉末較多, 切削能力強(qiáng), 但由于撞擊嚴(yán)重,容易產(chǎn)生較大的崩裂 [ 11] 。 所以選擇顆粒小的薄型刀具有助于減小介質(zhì)陶瓷的崩邊, 本工作分別選用 0. 25,0. 15 mm 的樹(shù)脂刀( 表面有金剛砂顆粒) 和 0. 05 mm 金屬刀( 表面無(wú)金剛砂顆粒) , 采用相同的切割參數(shù)進(jìn)行切割。

表面沒(méi)有粘附金剛砂顆粒, 對(duì)樣品的撞擊比較小, 崩邊尺寸較小, 獲得了良好的介質(zhì)邊緣, 但同時(shí)也可以看出, 無(wú)論哪種刀具都造成了比較嚴(yán)重的背金卷邊。總體來(lái)看, 0. 05 mm 的金屬刀具在獲得良好的樣品邊緣的同時(shí), 還能保持較小的背金卷邊。
2. 3. 2　切割固定方式對(duì)崩邊和背金卷邊的影響
在工程應(yīng)用中, 為了 規(guī)避背金卷邊帶來(lái)的困擾,常規(guī)的做法是在切割路徑上去除金屬, 制作出切割道,避免金屬粘連而發(fā)生卷邊毛刺, 由 于高介薄型陶瓷電容器基片晶粒較粗, 基片厚度薄, 基片整體脆性強(qiáng),極易出現(xiàn)碎裂, 如果采用去除背金制作切割道的方式,需經(jīng)過(guò)一整套圖形轉(zhuǎn)移制程, 這在工藝過(guò)程中會(huì)導(dǎo)致片損嚴(yán)重。 因此本工作通過(guò)解析切割過(guò)程中各材質(zhì)之間的形變關(guān)系發(fā)現(xiàn), 背金卷邊與固定物的硬度相關(guān),其切割過(guò)程中的形變。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電3300pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專(zhuān)級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電330pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-25-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專(zhuān)級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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